BJT

三极管偏置电压计算器

BJT Bias & AC Analysis

偏置电阻 (Bias Resistors)

KΩ
KΩ
KΩ
KΩ
KΩ
KΩ

系统参数 (Parameters)

V
Ω
V

高频参数 (High Freq)

MHz
pF
pF

直流工作点 (DC Bias)

Active
VB (Base) - V
VE (Emitter) - V
VC (Collector) - V
RB (Thevenin) - KΩ
IC (Collector) - mA
IB (Base) - mA

微变等效参数 (Small Signal)

gm (Transcond.) - mS
rπ (Input Res) - KΩ
re (Intrinsic) - Ω
CBE (Derived) - pF
CE 共发射极
CC 共集电极
电压增益 (Voltage Gain, Av) -
米勒电容 (Miller Cap, CM) - pF
带宽 (Bandwidth, BW) - MHz
VP (Vcc) R1 R2 RC RE1 RE2 GND In Rs Out(CE) Out(CC)

设计指南与公式

直流偏置 (DC Bias)

VBB = VP × R2 / (R1 + R2)

RB = R1 || R2

IB = (VBB - VBE) / (RB + (β+1)×RE)

VC = VP - IC×RC

CE 电压增益

假设 RE2 被旁路电容短路，交流增益由 RE1 决定。

Av ≈ - (RC || RL) / (re + RE1)

re ≈ 26mV / IE

注意事项

  • RE1 vs RE2: RE1 通常较小，不加旁路电容，用于稳定增益（负反馈）和改善线性度。RE2 通常较大，并联大电容以提高直流稳定性而不牺牲交流增益。
  • Miller 效应: 在共发射极 (CE) 组态中，集电结电容 CCB 会被放大 (1+|Av|) 倍，显著降低输入带宽。
  • 射极跟随器 (CC): 电压增益略小于1，主要用于阻抗匹配（高输入阻抗，低输出阻抗）。